Das von Semikron hergestellte IGBT -Modul (isoliertes Gate Bipolar Transistor) ist ein IGBT -Modul (isoliertes Gate Bipolar Transistor). Es ist für Hochleistungsanwendungen ausgelegt und bietet eine kompakte und robuste Lösung für Motorantriebe, Leistungskonverter und andere industrielle Anwendungen. Das Modul integriert mehrere IGBTs, Freilaufdioden, Gate -Treiber und Schutzfunktionen in ein einzelnes Paket.

Das SKIIP13AC126V1 -Modul hat je nach spezifischem Modell eine maximale Spannung von 1,2 kV und eine maximale Strombewertung von mehreren hundert Ampere. Es ist für Hochspannungen und Ströme erstellt, während es effiziente Umschalt- und niedrige Leitungsverluste bereitstellt.

Das Modul ist mit fortschrittlichen thermischen Verwaltungsmerkmalen wie einer Grundplatte und einem Wärmeversinken ausgestattet, um die Wärme effektiv abzuleiten und einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten. Darüber hinaus enthält es verschiedene Schutzmerkmale wie Kurzschlussschutz, Übertemperaturschutz und Unterspannungssperrung, um das Modul und die angeschlossenen Schaltkreise zu schützen.

Insgesamt ist das SKIIP13AC126V1-IGBT-Modul ein leistungsstarkes und zuverlässiges Leistungsmodul, das für anspruchsvolle industrielle Anwendungen geeignet ist. Es bietet eine effiziente Leistungsumwandlung, Robustheit und Schutzmerkmale, um einen sicheren und zuverlässigen Betrieb in Hochleistungssystemen zu gewährleisten.