Das von Semikron hergestellte IGBT -Modul (isoliertes Gate Bipolar Transistor) ist ein IGBT -Modul (isoliertes Gate Bipolar Transistor). Es ist so konzipiert, dass es mit hohen Strom- und Spannungsanwendungen umgeht. Das Modul verfügt über einen eingebauten IGBT-Chip, einschließlich Freilaufdioden und Gate-Treiber, alle innerhalb eines einzelnen Pakets. Es wird üblicherweise in Motorsteuerungs- und Leistungsumwandlungssystemen verwendet.

Das SKIIP12AC12T4V1 -Modul hat eine maximale Nennspannung von 1200 V und eine Strombewertung von 12A. Es ist in der Lage, mit hohen Schaltfrequenzen umzugehen, und bietet eine Abteilung mit geringer Leistung. Das Modul ist für robuste und hohe Zuverlässigkeitsanwendungen ausgelegt und bietet hervorragende Merkmale der thermischen Leistung und Schutz wie Kurzschluss- und Übertemperaturschutz.